MJD32T4G دیتاشیت

MJD32T4G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MJD32T4G
حجم فایل 94.694 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

دانلود دیتاشیت MJD32T4G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi MJD32CRLG
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -65°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 3A
  • Power Dissipation (Pd): 15W
  • Transition Frequency (fT): 3MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 10@3A,4V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 50uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 100V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 1.2V@3A,375mA
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه